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阿迪朗达克的秋天 - 以卫星视角欣赏充满活力的色彩_我的网站

A | 2022年10月8日的伊丽莎白镇上面的图片显示了纽约州伊丽莎白镇周围的秋色。　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。

B | 　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。

C | 三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。该镇位于佛蒙特州伯灵顿西南约40英里（60公里）处，长期以来被称为"阿迪朗达克山脉的东部门户"。其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。这张图片中引人注目的黄叶大部分在该镇以西，位于飓风山荒野，这是阿迪朗达克森林保护区的一个面积大约13784英亩的部分。在伊丽莎白镇以南约20英里（30公里）处，北哈德逊镇附近的森林也出现了鲜艳的秋色（如下图）。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。从北哈德逊出发，蓝岭路向西蜿蜒，将霍夫曼山口和迪克斯山荒野地区一分为二。

D | 　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。2022年10月8日，北哈德森这两个镇都在阿迪朗达克公园内--美国毗连地区最大的州立公园，占地600万英亩，约占该州的六分之一。这个相对完整的森林景观在空中俯瞰时呈现出稳定的季节性色彩。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。落叶树的颜色特别鲜艳，包括糖枫和红枫，以及北美白杨木和大齿杨。东部落叶松也会在这里出现，但在这种针叶树上长的是针叶，在秋天会变成明亮的金黄色。　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。秋天的颜色达到顶峰时，通常是气温下降，日照缩短的时候，气候触发植物减缓并停止生产叶绿素--植物用来合成食物的分子。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。

E | 　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。当绿色的叶绿素褪去后，各种黄色和红色的色素就会显现。今年宾夕法尼亚州东部、新泽西州、新英格兰中部和纽约州东南部的秋色会让赏叶者感到失望，这些地区夏季的降雨量低于平均水平，导致树木的生长压力。其他地区有正确的秋色配方：凉爽、湿润的夏季，然后是凉爽、干燥的秋季。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。

F | 在纽约北部，叶子的颜色预计会很鲜艳，但在这个季节的高峰期比平时晚。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。

G | 　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。

H | 　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。